国产户外逆变电源单向储能半桥驱动器芯片SLM21814 封装SOIC14

SLM21814是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高压和低压侧参考输出通道。

***HVIC和闩锁***CMOS技术可实现加固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTL输出兼容，低至3.3 V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，设计用于***小驱动器交叉传导。传播延迟匹配，以简化在高频应用中的使用。浮动沟道可用于驱动高侧配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，其工作电压高达600 V。

特征：

设计用于引导操作的浮动通道

在+600 V下完全运行

低V-CC运行

耐受负瞬态电压，dV/dt***

闸门驱动电源范围为10 V至20 V

两个通道的欠压锁定

3.3 V和5 V逻辑兼容

CMOS施密特触发下拉输入

两个信道的匹配传播延迟

输出与输入同相

符合RoHS

SOP14包